2018年，在存儲器市場的引領下，全球半導體市場繼續保持快速增長勢頭，市場規模預計達到4779.4億美元，同比增長15.9%。國內市場依舊保持高速增長，但增速有所放緩，達到21.5%。展望2019年，隨著存儲器市場的供需關系逐漸趨于合理，繼而帶動全球產業增速逐步回落。我國集成電路產業依然面臨全球市場調整、產業布局不合理、國際環境復雜等嚴峻挑戰。

形勢判斷

（一）全球半導體市場增長大幅放緩，多因素交織使得我國產業增速放緩。2018年全球半導體市場基本保持增長勢頭，從產品類別看，存儲器受漲價影響仍為增長最快的產品，同比增長33.2%；分立器件和光電器件緊隨其后，同比增長11.7%和11.2%。國內集成電路設計、制造、封測三業增速，同比上年均略有下降。其中設計業銷售額為2502.7億元，同比增長20.7%；制造業銷售額為1836.2億元，同比增長26.8%；封測業銷售額為2235.5億元，同比增長18.3%。

預計2019年全球半導體市場增速將大幅下降至2.6%，市場規模為4901.4億美元。從產品結構看，2019年細分產品增長率都下降到個位數，特別是存儲器將從2017年61.5%的大幅增長轉變為2019年的負增長。國內半導體產業增長率也將同比下降，預計2019年產業規模為7764.4億元，同比增長18.1%，相比前兩年20%以上高速增長逐漸放緩。

（二）傳統市場對產業的帶動乏力，5G、人工智能等新興應用尚未能對產業形成有效支撐。從全球市場情況看，2018年全球集成電路市場雖保持增長勢頭，但相比2017年增長有所放緩。此外，高投入的存儲領域增速大幅放緩，2018年全球超過一半的集成電路資本支出用于DRAM和NAND閃存等，過多的支出可能導致未來供給過剩風險。

預計2019年全球半導體市場增長速度將大幅下降，而在復雜的國際貿易環境和增速放緩的全球市場影響下，2019年國內市場增長率也將同比下降。

（三）全球產品技術繼續加快變革創新，我國先進工藝和存儲器技術有望實現突破。2018年，集成電路技術仍沿著摩爾定律不斷迭代演進。設計方面，手機芯片、人工智能芯片、礦機芯片等成為引領技術變革的重要產品。制造方面，摩爾定律仍如期推進，臺積電和三星在先進工藝制程繼續競賽領跑，相繼實現7nm工藝量產，進一步鞏固代工優勢。封測方面，扇出型封裝等高端封裝技術競爭激烈。

展望2019年，在5G、人工智能等需求驅動下技術將繼續加快變革創新。臺積電和三星等代工廠將取代Intel承擔起推動摩爾定律前進重任，預計2019年將實現5nm工藝試產，2020年量產。制造業格局的變化和摩爾定律物理極限的逼近，也讓更多企業和產品結構站在同一起跑線上。我國領先設計企業也將共享集成電路代工技術進步紅利，逐步縮小與國外先進水平的差距。

（四）全球投融資市場逐漸降溫，我國集成電路產業投資熱度不減。2018年，全球集成電路產業跨國并購難度提升，持續近三年的全球集成電路產業并購熱潮出現降溫。企業資本支出再創新高，2018年半導體資本支出首次突破1000億美元，至1071億美元，同比增長15%。我國集成電路投融資市場在2018年總體表現平穩，年內出現數起金額較大的并購案，助推了我國集成電路產業優質資源整合。

展望2019年，資本市場對集成電路產業的關注度將進一步降低，投資方關注重點將繼續集中在細分領域優質企業。在企業資本支出方面，集成電路市場的調整將降低企業資本支出熱情，2019年企業資本支出將較2018年降低超10%。雖然外圍環境對我國2019年集成電路產業投融資氛圍有些許影響，但是在國家政策的支持下，我國2019年集成電路產業投融資仍有望保持景氣。

對策建議

（一）進一步加強國內生產線主體集中布局。一是繼續加強堅持主體集中、區域適當布局原則，進一步強化對生產線建設項目的窗口指導，對新建項目從嚴把關、科學決策。加強對地方政府引導，嚴格控制多主體和低水平重復建設，避免通過資金、稅收和土地等“超國民”優惠待遇引進外資項目。二是研究建立我國集成電路產業體系建設與產業優化布局的指標體系，針對集成電路產業特點，圍繞技術、人才、資金、市場、產業環境等要素指標，提供各區域在產業發展中的定位建議，引導合理布局。

（二）鼓勵設計企業發揮創新活力對接下游應用市場。一是發揮眾多小微設計企業的積極性，緊抓整機企業需求。充分調動企業活力，推動設計企業對接整機企業需求，開展定制化的設計，憑借優質的服務配套贏得市場。二是加強企業技術積累，提升設計技術和產品創新能力。鼓勵有實力的設計企業進一步加大研發投入，在底層設計能力和上層產品創新兩個角度發力。三是鼓勵國內設計企業采購本土代工業務。圍繞制造企業上下游形成產業聯盟，提升國內設計企業在境內代工的比例，幫助制造企業提升需求，加強供需平衡穩定，進一步提升制造企業的盈利能力。

（三）加快自主研發和開放合作，盡快突破核心技術。一是進一步加大核心技術攻克決心和力度。通過加快建設國家制造業創新中心，加強集成電路領域的校企之間的創新資源整合、創新成果共享、上下游企業技術合作，在人工智能、高端芯片、量子計算等關鍵技術和核心產品實現重點突破，形成自主創新的集成電路產品研發和生產體系，以應對國外對我技術出口管制。二是建立上下游協同的自主供應鏈體系。提高集成電路核心產品的自主可控水平和供給能力，形成完整的國內上下游產品服務供應體系，提升全球貿易環境惡化背景下國內供應能力。三是進一步加強對外開放。在加強自主發展的同時，保持開放合作共贏的態度，積極與國際企業開展技術合作和交流。

（四）繼續優化產業發展的營商環境。一是對集成電路企業IPO和再融資開辟綠色通道。建立集成電路行業主管部門與證監會之間的溝通協調機制。對國內骨干企業適當降低盈利標準要求，開辟上市綠色通道。二是考慮到集成電路制造企業盈利周期長的特點，將財稅〔2012〕27號、財稅〔2043〕49號文件中“五免五減半”優惠政策規定，調整為“五減半五免”，對符合條件的集成電路設計業和裝備業的研發費用可全部或部分資本化處理。三是加強知識產權的保護、運用和布局，創造良好的創新環境。四是加大人才引育力度，創新人才輸送渠道。統籌示范性微電子學院、職業教育機構、研究院所資源，對接集成電路企業需求，開展針對性培訓，建設集教育、培訓、研究為一體的區域共享型集成電路產學研融合協同育人平臺。同時，建議通過個稅減免提高人才實際所得，以提升行業吸引力。